前言

  在電源設計中，不對稱(chēng)半橋AHB拓撲技術(shù)適用于單電壓輸入的場(chǎng)景，而對于寬電壓輸入的應用，則需要增加PFC級以實(shí)現更好的性能。該技術(shù)在寬電壓輸出方面表現優(yōu)越，特別適用于需要高度可調性的場(chǎng)合，相較于LLC技術(shù)更為適合PD等應用場(chǎng)景。

  不對稱(chēng)半橋AHB拓撲技術(shù)集成了LLC和反激的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現了初級側零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）和次級側零電流開(kāi)關(guān)（ZCS），提高了系統的效率。通過(guò)采用電感與電容雙儲能元件，可以有效減小變壓器體積，從而提高系統的整體緊湊性。

  另外，二次側同步整流技術(shù)使電壓應力較小，有效降低了系統成本。整體外圍結構簡(jiǎn)單，易于調試，并且對電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  東科半導體推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不對稱(chēng)半橋解決方案DK8715AD，采用三合一設計，單芯片集成AHB控制+半橋驅動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現了優(yōu)異的總線(xiàn)控制功能，提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度，相較于其余方案，其外圍元件大幅減少，調試難度低，有效降低了系統成本壓力，整體成本遠低于競品方案。

  DK8715AD支持最高800KHz開(kāi)關(guān)頻率，前段帶有升壓PFC的情況下推薦功率為150W（高功率密度小體積應用場(chǎng)景），待機功耗小于50mW，具備自適應死區和關(guān)斷算法，無(wú)需外圍調節，外圍極致精簡(jiǎn)，同時(shí)具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求，并內置高壓?jiǎn)?dòng)和X電容放電電路，可為系統提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自適應四種負載模式，有效提高各負載段效率，通過(guò)搭載DK8715AD，可使設備效率最高可達95.4%。

  DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動(dòng)車(chē)充電器、通信電源、LED電源等領(lǐng)域之中。

       方案總結

  不對稱(chēng)半橋AHB拓撲技術(shù)整合了LLC和反激的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現了初級側零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）和次級側零電流開(kāi)關(guān)（ZCS），從而提高了系統的效率，有效減小變壓器體積，提高系統的整體集成度。另外，二次側同步整流技術(shù)降低了系統成本，外圍結構簡(jiǎn)單，易于調試，并對電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  DK8715AD是一款基于不對稱(chēng)半橋架構的全合封解決方案，集成了AHB控制、半橋驅動(dòng)和兩顆650V增強型GaN HEMT，具備高達800KHz的開(kāi)關(guān)頻率，待機功耗小于50mW，具備自適應死區和關(guān)斷算法。DK8715AD可在較大負載范圍內實(shí)現原邊功率管ZVS和副邊整流管ZCS，外圍設計精簡(jiǎn)，簡(jiǎn)化了AC-DC轉換器設計，降低了系統成本壓力，適用于高功率密度快速充電器、適配器、電源等領(lǐng)域，同時(shí)具備全面的保護功能，確保產(chǎn)品穩定性和可靠性。

  9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(cháng)及馬鞍山市委書(shū)記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。

圖左為袁方書(shū)記，右為謝冰部長(cháng)

 北大-東科第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心，（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“研發(fā)中心”）將瞄準國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng )新需求，以第三代半導體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應用研發(fā)為核心使命，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術(shù)上的創(chuàng )新能力和市場(chǎng)主導力。

 北京大學(xué)集成電路學(xué)科作為我國第一個(gè)半導體專(zhuān)業(yè)，在學(xué)科建設、師資隊伍等綜合實(shí)力均處于國內一流領(lǐng)先水平。 而東科半導體作為國內最先研發(fā)布局氮化鎵芯片研究的企業(yè)，國內首創(chuàng )合封氮化鎵電源管理芯片，其產(chǎn)品性能指標等同或部分超出國外同類(lèi)產(chǎn)品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場(chǎng)廣泛認可，實(shí)現國產(chǎn)替代。

  東科半導體在繼青島、無(wú)錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心后新成立的北京研發(fā)中心，將借助北京大學(xué)及其他首都高校的研發(fā)技術(shù)及人才優(yōu)勢，以高標準打造出一支學(xué)歷層次高、專(zhuān)業(yè)覆蓋面廣、技術(shù)力量雄厚、產(chǎn)學(xué)研聯(lián)系緊密的研發(fā)隊伍。

  隨著(zhù)氮化鎵技術(shù)的不斷突破與完善，下游新的應用市場(chǎng)規模將不斷爆發(fā)，同時(shí)氮化鎵作為第三代半導體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產(chǎn)品性能、降本增效、可持續綠色發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。

  未來(lái)，東科半導體的氮化鎵芯片將在繼續深耕快充等消費電子細分領(lǐng)域市場(chǎng)的同時(shí)，進(jìn)一步拓展進(jìn)入通信、工業(yè)電源、光伏、新能源等眾多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，為推進(jìn)芯片國產(chǎn)化進(jìn)程不斷前行。

  2023年7月15日，以“凝心聚力，共創(chuàng )未來(lái)”為主題的東科半導體喬遷揭牌儀式暨答謝晚宴在安徽馬鞍山隆重舉辦。并邀請了核心客戶(hù)，代理商，核心供應商兩百位來(lái)賓朋友、分子公司負責人出席本次儀式及晚宴，市經(jīng)開(kāi)區領(lǐng)導代表也應邀出席了上午的揭牌儀式，共賀東科半導體喬遷之喜！

  此次投入使用的東科半導體產(chǎn)業(yè)園占地52畝，一期新建廠(chǎng)房及附屬2.9萬(wàn)平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線(xiàn)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。全部達產(chǎn)后，預計可實(shí)現芯片年產(chǎn)10億只。

  作為國內為數不多的集研發(fā)設計、封測、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的集成電路國家級專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)，研發(fā)創(chuàng )新是核心生命力，在不斷擴大研發(fā)隊伍的同時(shí)，持續跟各大院校、科研院所開(kāi)展研發(fā)合作。引進(jìn)了新型研發(fā)機構京皖智慧裝備研究院，整合了包括北大在內的專(zhuān)業(yè)研發(fā)人才，為東科提供創(chuàng )新成果服務(wù)，為人才提供培育平臺，實(shí)現了大學(xué)與企業(yè)的創(chuàng )新發(fā)展的同頻共振。并在繼青島、無(wú)錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心之后，依靠北大的研發(fā)力量擬成立新的北京研發(fā)中心。

  經(jīng)過(guò)多年的努力，東科已擁有超百項專(zhuān)利，生產(chǎn)出眾多的自主創(chuàng )新產(chǎn)品，目前東科不但是國內同步整流芯片市占率前三的頭部企業(yè)，同時(shí)還是國內氮化鎵電源產(chǎn)品設計最早、品種最全、功率段覆蓋最廣的芯片設計企業(yè)，引領(lǐng)著(zhù)氮化鎵電源芯片市場(chǎng)的發(fā)展。

    截止目前東科芯片已服務(wù)數千家客戶(hù)，國內客戶(hù)遍布長(cháng)三角、珠三角、華中、華北等多個(gè)地區，國外客戶(hù)覆蓋歐盟、巴西、比利時(shí)、印度、韓國、越南等多個(gè)國家，產(chǎn)品線(xiàn)已覆蓋智能家電、移動(dòng)數碼、工控設備、消費電子等眾多領(lǐng)域，下游眾多優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部企業(yè)，已經(jīng)陸續成為東科的核心客戶(hù)。

    踔厲前行，篤行不怠，新起點(diǎn)，新征程，東科立志成為世界一流的電源管理服務(wù)商，為客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值，為芯片國產(chǎn)化進(jìn)程不懈努力。

  東科半導體（安徽）股份有限公司將于2023年7月11日~13日，參加慕尼黑上海電子展(electronica China)。
  屆時(shí)東科將展出最新的高集成度合封氮化鎵電源管理芯片，合封同步整流芯片和其他高性能電源管理類(lèi)產(chǎn)品。誠邀新老朋友蒞臨指導！

  慕尼黑上海電子展(electronica China)將于2023年7月11-13日在國家會(huì )展中心（上海）舉辦。展會(huì )匯聚國內外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)加入，打造從產(chǎn)品設計到應用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專(zhuān)業(yè)展示平臺。

  展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點(diǎn)，并根據行業(yè)實(shí)時(shí)熱點(diǎn)融入新的展示領(lǐng)域，涵蓋新能源汽車(chē)、智能汽車(chē)、綠色能源、智能工廠(chǎng)、物聯(lián)網(wǎng)+、智能可穿戴、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)通信、數據中心、智能家居等技術(shù)話(huà)題。

  1月28日，安徽省“新春第一會(huì )”——全省發(fā)揚自我革命精神 堅持嚴的基調 持續深化“一改兩為”全面提升工作效能大會(huì )在合肥舉行。會(huì )上表?yè)P通報了2022年度安徽省民營(yíng)企業(yè)稅收貢獻50強、“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強等榮譽(yù)企業(yè)，東科半導體（安徽）股份有限公司榮獲安徽省“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強。

作為國家級專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)，東科此次被評為省“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強是對公司在持續創(chuàng )新能力、專(zhuān)業(yè)化發(fā)展戰略、市場(chǎng)競爭優(yōu)勢等方面的認可，也是對公司的品牌影響力、產(chǎn)品質(zhì)量等方面的肯定。作為國內數不多的集研發(fā)、設計、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體的集成電路科技創(chuàng )新型企業(yè)，公司始終堅持創(chuàng )新是企業(yè)最高效率，與北京大學(xué)信息技術(shù)學(xué)院、上海工研院等國內頂尖研發(fā)機構達成聯(lián)合研發(fā)協(xié)議，共同推進(jìn)第三代半導體氮化鎵芯片的應用研究，著(zhù)重打造集設計、研發(fā)、封裝、測試為一體的完整的國內本土生態(tài)鏈。未來(lái)公司將繼續加大研發(fā)投入，堅持以研發(fā)創(chuàng )新為發(fā)展驅動(dòng)力，不斷實(shí)現技術(shù)突破，加快公司先進(jìn)技術(shù)的成果轉化速度，打造全面領(lǐng)先的產(chǎn)品布局，為芯片國產(chǎn)化以及安徽高質(zhì)量發(fā)展貢獻更大力量！

    前言

  在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅動(dòng) + 氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度相對較大，而且成本也比較高。

  為了實(shí)現更高的功率密度并降低外圍器件數量，目前已有許多電源芯片廠(chǎng)商在著(zhù)手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線(xiàn)，用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、PWM 控制、驅動(dòng)、保護等功能，既能夠提升整體方案的性能，同時(shí)也能減少 PCB 板的占用，縮小尺寸并減少物料成本。

  目前，合封氮化鎵芯片已在小功率快充產(chǎn)品中實(shí)現規?；逃?。而隨著(zhù)氮化鎵合封技術(shù)的不斷發(fā)展，已有多家芯片原廠(chǎng)推出了可用于 65W 功率段的合封氮化鎵芯片。

  東科半導體面向 65W 快充應用，推出了 DK065G 合封氮化鎵芯片，內部集成了 650V 260m Ω 氮化鎵開(kāi)關(guān)管，最高支持 250kHz 開(kāi)關(guān)頻率。芯片通過(guò)檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS 達到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

  東科 DK065G 采用 DFN8*8 封裝，待機功耗低于 50mW，采用谷底開(kāi)通以降低開(kāi)關(guān)損耗，內置高低壓輸入功率補償電路，保證高低壓下最大輸出功率一致，可廣泛應用于高功率快充充電器、筆記本平板等產(chǎn)品中。

  傳統的 65W 氮化鎵快充方案包括控制器 + 驅動(dòng)器 +GaN 功率器件等，電路設計復雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現原有數顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數，電源工程師在應用過(guò)程中能更加方便、快捷地完成調試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。                             

文章來(lái)源：充電頭網(wǎng) 

  從第一款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場(chǎng)，短短三年時(shí)間，整個(gè)氮化鎵快充電源市場(chǎng)的容量翻了百倍，昔日只有個(gè)別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù)，如今便已成為了一線(xiàn)手機、筆電品牌的主流產(chǎn)品，不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。目前已有多家廠(chǎng)商推出數十款合封氮化鎵芯片，在即將舉辦的2022（春季）亞洲充電展上，東科將分享并展示最新推出的合封氮化鎵芯片和相關(guān)技術(shù)分享。

A12、13、14、15展位：東科半導體（安徽）股份有限公司

  DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK025G檢測功率管漏極和源極之間的電壓VDS,當VDS達到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片最高支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，芯片內部集成氮化鎵開(kāi)關(guān)管、控制器、驅動(dòng)器、高壓?jiǎn)?dòng)電路和保護單元。

DK025G

  DK025G采用ESOP8封裝，可通過(guò)PCB銅箔散熱，簡(jiǎn)化散熱要求，降低溫升。這款芯片廣泛應用于高功率密度快速充電器，筆記本電腦，平板電腦和機頂盒等產(chǎn)品的適配器。

  DK025G極大的簡(jiǎn)化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK025G具備完善的保護功能：輸出過(guò)壓保護(OVP)，VCC過(guò)欠壓保護，過(guò)溫保護(OTP)，開(kāi)環(huán)保護，輸出過(guò)流保護(OCP)等。

  東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片，芯片內部集成650V 400mΩ氮化鎵開(kāi)關(guān)管、控制器、驅動(dòng)器、高壓?jiǎn)?dòng)電路和保護單元。芯片通過(guò)內部快速頻率折返功能來(lái)調制最小峰值電流，達到快速降低開(kāi)關(guān)頻率的目的，從而有效降低系統在輕載下的損耗，提升系統的效率。芯片采用130KHz PWM開(kāi)關(guān)頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡。DK036G內置過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓和輸出短路、次級開(kāi)路保護功能，采用ESOP-8封裝形式，可通過(guò)PCB銅箔散熱，簡(jiǎn)化散熱要求，降低溫升?？梢詮V泛應用于PD快充和電源適配器。

DK045G

  東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片，支持45W及以下功率應用。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK045G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045G 具備完善的保護功能：輸出過(guò)壓保護（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護，過(guò)溫護（OTP）， 開(kāi)環(huán)保護，輸出過(guò)流保護（OCP）等。

DK065G

  東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片，支持65W及以下功率應用。DK065G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK065G采用PDFN8*8封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK065G極大的簡(jiǎn)化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密 度的產(chǎn)品。DK065G具備完善的保護功能：輸出過(guò)壓保護（OVP），VCC過(guò)欠壓保護，過(guò)溫保護（OTP）， 開(kāi)環(huán)保護，輸出過(guò)流保護（OCP）等。